引領功率半導體市場變革 氮化鎵龍頭英諾賽科港股招股中
發佈時間：12:40 2024-12-19
近年來，隨著新能源產業的蓬勃發展，以及智能製造、工業互聯網等新興領域的興起，功率半導體器件市場需求增長迅猛。其中，以氮化鎵為代表的第三代半導體材料，憑藉優秀的物理性能和廣泛的下游應用場景，已成為推動功率半導體行業變革的核心驅動力。在這一領域，英諾賽科（新上市編號：02577） 是公認的領頭企業，憑藉強大的技術專長和前瞻佈局，穩居行業領先地位。12月18日至12月23日，公司開啟港股招股，擬全球發售45,364,000股H股，發售價介乎30.86港元至33.66港元之間，每手100股，預計於12月30日登陸聯交所。
技術實力鑄就行業翹楚地位
技術是半導體企業生命力的源泉。英諾賽科長期致力於氮化鎵技術的研發和創新，積累了深厚的技術基礎。截至2024年6月30日，公司在全球有319項專利及430項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域，構建了完善的技術壁壘。憑藉全面的專業知識，英諾賽科設計、開發及製造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，產品研發範圍覆蓋15V至1,200V。公司是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。依託全電壓產品組合，英諾賽科不僅可以滿足各類工業應用需求，還支持提供多功能的定製解決方案，顯著提高終端應用的性能、效率及可靠性。
值得一提的是，英諾賽科成功開發了全新的量產製程和技術，在8吋硅基氮化鎵技術領域成為全球首家實現量產的公司。憑藉該技術，英諾賽科可實現遠高於6英吋氮化鎵晶圓的效率及大幅降低的單顆芯片成本。截至2024年6月30日，公司每月晶圓產能突破12,500片，實現了產業規模商業化，晶圓良率超過95%。以折算氮化鎵分立器件計，公司累計出貨量超過850百萬顆，按折算氮化鎵分立器件出貨量計，公司2023年出貨量位居全球氮化鎵功率半導體公司第一，市佔率高達42.4%。
IDM模式形成顯著競爭優勢
在快速發展的氮化鎵功率半導體行業中，從設計、製造到測試，每個環節自主把控的IDM模式被證實是最有成效的主流運營架構。英諾賽科的運營戰略圍繞高度整合的IDM模式，能夠先人一步了解並解決客戶面對的痛點，迎合產業需求。運用行業優選的IDM模式，英諾賽科既確保了產品的穩定交付，亦促進了研發及製造工作在整個產品開發及交付過程中的無縫協調。同時，IDM模式使公司能夠較無晶圓廠芯片設計公司更有效地管理成本，從而採用更具競爭力的定價。以IDM模式為支撐，公司有望長期保持先發優勢，從技術領先地位中持續受益。
此外，英諾賽科與廣泛的國內外知名客戶合作，包括領先的半導體製造服務供應商、專門從事可再生能源技術的高科技公司以及汽車OEM的一級供應商。於往績記錄期間，公司向中國和海外約140名客戶提供氮化鎵產品。當前，全球氮化鎵半導體市場正加速發展，行業方興未艾。具備領先市場地位、技術優勢以及運營優勢的英諾賽科，在國際資本加持下，有望把握住功率半導體市場變革機遇，進一步鞏固其行業領先地位，實現估值的不斷提升。
(財經資訊)
